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　　電光KERR效應是一種存在于各種光纖介質(zhì)中的與電場強度二次方有關(guān)的電光效應，其表達式為N=KE2。其公式中為介質(zhì)折射率的變化量，E為外加電場強度;K為與介質(zhì)及通光波長相關(guān)的常數(shù)。介質(zhì)中N的出現(xiàn)將引起通過其中的光波偏振態(tài)的變化，故檢測光波偏振態(tài)可獲偷偷的哭 被測電場。KERR效應很弱，在無對稱中心的晶體中，一般KERR效應較POCKELS效應小幾個數(shù)量級，并且N與E也不是線性關(guān)系。

　　當壓電晶體受到外加電場作用時，晶體除產(chǎn)生極化現(xiàn)象以外，同時形狀也產(chǎn)生微小變化，即產(chǎn)生應變，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應。若將逆壓電效應引起的晶體形變轉(zhuǎn)化為光信號的調(diào)制并檢測光信號，則可用作電場或電壓的光纖光電開關(guān)傳感器。